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　　得益于高机能预备芯片以及消费电子产物需求的疾速巩固，环球要紧半导体系作厂商继续扩展优秀封装产能，发动优秀封装设置市集也进入高速生长阶段。集国商量数据显示，优秀封装设置发售额估计正在2024年延长10％以上，2025年希望进步20％。与此同时，跟着优秀封装技巧的起色，干系设置的革新迭代也正在加快，成立出更多新的市集机会。

　　近年来，正在AI海潮的胀励下，高机能HPC等对芯片需求继续飞腾，加之智妙手机、AI PC、HBM等的必要继续扩展，均胀励了优秀封装的起色。目前，环球各地均迎来一波新修优秀封装产能的潮水。

　　最新动静显示，台积电收购群创南科厂，将投资成立CoWoS产能，估计来岁4月劈头交机、最速下半年即可投产。其它，台积电还正在中国台湾地域的竹南、台中、嘉义等台增修优秀封装产能。美光虽正在与台积电竞购群创南科厂中铩羽，但扩增优秀封装产能的谋略褂讪，指日又有动静传出将添置友达的两座厂房，往还估计岁尾告终，来岁下半年劈头投产。前不久，SK海力士也与美国商务部签定发端备忘录，将正在美国印第安纳州投资一座优秀封装厂，并希望获取最高4.5亿美元的直接补帮和最高5亿美元的贷款。本年4月，SK海力士便曾发表将投资38.7亿美元正在印第安纳州成立优秀封装厂。其它，英特尔正在美国新墨西哥州、马来西亚居林和槟城，三星正在韩国，日月光正在中国台湾地域均有新增优秀封装产能的谋略传出。

　　中国大陆对优秀封装项主意投修也是热忱不减，网罗华天科技优秀封测项目、通富微电优秀封装项目、长电微电子晶圆级微体系集成高端造作项目、松山湖佰维存储晶圆级封测项目等。按照市集钻研机构Yole Group预测，优秀封装正在合座封装市荟萃的比例将于2025年进步非优秀封装、抵达51.03％，2023-2029年优秀封装市集的复合年延长率将抵达11%，市集范围将扩展至695亿美元。

　　而优秀封装产能的扩张直接发动了优秀封装设置市集的延长。与古板封装技巧区别，跟着科技进取，封装技巧已从简单芯片封装进化为可将复数芯片整合为更高密度、更高效力的优秀封装技巧。良多工艺与前段造程亲切接连，如硅通孔（TSV）、重布线（RDL）等，所需设置也有了广大转折和起色，网罗涂胶设置、刻蚀机、光刻机、PVD、CVD、晶圆键合设置、检测设置等。

　　跟着优秀封装技巧的起色，干系设置也正在继续演进。优秀封装设置正在精度、速率、功用杂乱性、质料适合性以及主动化水平等方面均优于古板封装设置。以TSV技巧为例，TSV是一种正在硅基板上笔直穿透通孔，杀青芯片间三维互联的工艺技巧。TSV工艺设置涉及多个要害设施，网罗通孔刻蚀、绝缘层/禁止层/种子层浸积、通孔内导电物质填充、晶圆减薄以及晶圆键合等，个中涉及深孔刻蚀设置，PVD、CVD设置，电镀设置，晶圆减薄设置，晶圆键合设置等。

　　深孔刻蚀设置用于正在硅基板上造成笔直穿透的通孔，是TSV的要紧工艺设置之一。运用质料和泛林半导体等表洋厂商，正在设置的刻蚀精度、坚固性和临蓐功用方面处于行业当先位置。近年来，国内企业正在深硅刻蚀设置界限也获得了明显发扬。比如，中微半导体和北方微电子等公司研造的深硅等离子刻蚀机仍旧可能加入硅通孔刻蚀的研发及量产中。个中，北方微电子的DSE200系列刻蚀机可能杀青高达50:1的硅高超宽比刻蚀，并具备精良的侧壁样子独揽和刻蚀采取比。

　　TSV工艺哀求晶圆减薄至50μm以至更薄，以便使硅孔底部的铜暴暴露来为下一步的互连做绸缪。所以，晶圆减薄设置必要具备高精度、高坚固性和低毁伤等特性。跟着半导体技巧的继续起色，晶圆减薄设置正在精度、功用和坚固性方面继续提拔。国表里多家厂商都正在主动研发特别优秀的晶圆减薄设置以满意市集需求。

　　PVD技巧通过真空蒸发、溅射或弧放电等形式将金属、合金或陶瓷等质料浸积正在基板表面。跟着技巧的继续起色，PVD设置逐步向着多功用、高速、高效的集成体系宗旨起色。比如，少许优秀的PVD设置可能调治膜的因素，并采用多种区此表浸积技巧，杀青成膜历程的全主动化。CVD技巧通过化学响应正在基板表面或内部造成薄膜。目前，CVD技巧已广博运用于微电子器件、光学器件等界限。PECVD行动CVD技巧的一种紧要阵势，可能正在低压下利用电子和离子等活性物质催化形成化学响应，造成高质地的薄膜。跟着技巧的进取，PECVD设置正在薄膜质地、造备功用和临蓐本钱等方面继续优化。

　　RDL技巧通过正在芯片上扩展异常的布线层，以普及封装的机能和牢靠性，同样是优秀封装的要害技巧之一，要害设施网罗电介质浸积、湿法或干法蚀刻、禁止层和籽晶层浸积以及镀铜等，设置方面涉及到涂胶机、光刻机、刻蚀机、溅射台、电镀设置等。跟着RDL工艺对精度、功用和牢靠性的普及，这些设置也正在继续革新迭代。

　　好比涂胶机用于正在芯片表面涂覆光刻胶，以界说出RDL图形的轮廓。近年来，涂胶机正在涂覆匀称性、坚固性和功用方面获得了明显进取。新一代的涂胶机采用了优秀的旋涂技巧，可能正在高转速下杀青精准的光刻胶涂覆，确保涂层的厚度和匀称性抵达最优。正在RDL工艺中，光刻机同样是主题设置，用于将RDL图形从掩膜改变到涂有光刻胶的芯片表面。跟着技巧的继续进取，封装用光刻机的分袂率和精度也正在继续提拔。

　　刻蚀机正在RDL工艺顶用于去除晶圆表面未被光刻胶护卫的片面，造成所需的电途图案。跟着芯片尺寸的继续缩幼，刻蚀机的精度和匀称性哀求也越来越高。最新一代的刻蚀机采用了优秀的等离子体刻蚀技巧，可能正在维系高刻蚀速度的同时，杀青更好的刻蚀轮廓独揽和更幼的刻蚀毁伤。其它，为了应对3D封装和异质集成等新兴技巧的寻事，刻蚀机还正在继续研发新的刻蚀工艺和质料。

　　溅射台正在RDL工艺顶用于正在晶圆表面浸积金属层，以造成导电通途。跟着薄膜浸积技巧的继续起色，溅射台正在浸积速度、薄膜匀称性和质地独揽方面获得了明显进取。最新一代的溅射台采用了高能脉冲溅射技巧，可能正在普及浸积速度的同时，改革薄膜的致密性和附效力。其它，为了应对高集成度芯片的需求，溅射台还正在继续研发新的靶材和浸积工艺。